美国研制出无缺陷二硫化钼薄膜
单层半导体如MoS2(二硫化钼)可以研发透明LED显示屏、超高效率太阳能电池、光电探测器和纳米晶体管等等,但由于半导体薄膜存在缺陷,单层半导体性能受到影响。
日前,由美国加州大学伯克利分校和伯克利劳伦斯国家实验室的工程师引领的研发团队发现一种简单的方法来修补二硫化钼薄层的缺陷,通过化学处理将材料浸入到一种名为bistriflimide(或TFSI)的有机酸中,可将材料的光致荧光的量子产率提高100倍,揭开了二硫化钼等单层材料在光电器件和高性能晶体管等实际应用的新篇章,对晶体管有革命性的潜力。
该研究受美国能源部,加州大学伯克利分校国家科学基金中心能量效率电子科学,三星以及低能源系统技术研究中心的支持。
(来源:国防科技信息网)

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